TÓM TẮT
Bài báo này trình bày về kỹ thuật bù cho hoạt động ổn định của mạch ổn áp điện áp rơi thấp (Low-dropout Regulator: LDO) không sử dụng tụ điện ngoài chip cho các ứng dụng tất cả hệ thống trên một chip (System-on-Chip: SoC) và các hệ thống nhúng. Dựa trên phân tích về phương pháp bù sử dụng tụ điện Miller và bù sử dụng tụ điện kết hợp với điện trở phản hồi, bài báo đề xuất giải pháp kết hợp hai phương pháp bù này để đạt được độ dự trữ pha (Phase margin: PM) cao và tăng tần số tại hệ số khuếch đại bằng 1 của vòng lặp (Gain-bandwidth: GBW).
Phương pháp bù đề xuất giúp giảm thời gian khôi phục (Recovery time) của LDO trong điều kiện chuyển tải và cải thiện tỷ số loại bỏ tạp âm nguồn cung cấp (Power supply rejection ratio: PSRR). Mạch LDO với kỹ thuật bù đề xuất được thiết kế trên công nghệ CMOS 180nm. Kết quả mô phỏng thể hiện rằng mạch có thời gian khôi phục khi thay đổi dòng tải từ 10µA đến 100mA và ngược lại lần lượt là 300ns và 500ns. Tỷ số loại bỏ tạp âm nguồn cung cấp tại 1kHz, 100kHz và 10MHz tương ứng là 58,5dB; 34,2dB và 5,8dB.
Từ khóa: Ổn áp điện áp rơi thấp, không có tụ ngoài chip, bù ổn định, thời gian khôi phục.
Đinh Thị Thùy Dương1,*, Nguyễn Trung2
1Viện Khoa học Công nghệ Quân sự
2Viện Kỹ thuật Hải Quân
Tạp chí Khoa học và Công nghệ; Tập 58 - Số 4 (8/2022)
